CSD25211W1015 - MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
2514010 Pieces
参考価格
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仕様 CSD25211W1015
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : CSD25211W1015
メーカー : Texas Instruments
説明文 : MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 4.1nC @ 4.5V
Vgs（最大） : -6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 570pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-DSBGA (1x1.5)
パッケージ/ケース : 6-UFBGA, DSBGA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント CSD25211W1015
データシート : CSD25211W1015.pdf
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