IXFN82N60Q3 - MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-IXFN82N60Q3
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
17320 Pieces
参考価格
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仕様 IXFN82N60Q3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IXFN82N60Q3
メーカー : IXYS
説明文 : MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 66A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 6.5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 275nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 13500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 960W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IXFN82N60Q3
データシート : IXFN82N60Q3.pdf
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