KLUDG8J1ZD-B0CQ - UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
70895 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 KLUDG8J1ZD-B0CQ

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : KLUDG8J1ZD-B0CQ
メーカー : Samsung Semiconductor
説明文 : UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
シリーズ : DDR3
バージョン : UFS 2.1
密度 : 128 GB
電圧 : 1.8 / 3.3 V
インタフェース : G3 2Lane
小包のサイズ : 11.5 x 13 x 1.2 mm
温度。 : -40 ~ 105 °C
製品ステータス : Mass Production
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : KLUDG , KLUDG8J

のドキュメント KLUDG8J1ZD-B0CQ

データシート : KLUDG8J1ZD-B0CQ.pdf

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