MURTA200120R - DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
7144 Pieces
参考価格
USD 62.779332
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仕様 MURTA200120R

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : MURTA200120R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明文 : DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 100A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.6V @ 100A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : MURT , MURTA2

のドキュメント MURTA200120R

データシート : MURTA200120R.pdf

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