1N649-1 - DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
116025 Pieces
参考価格
USD 2.418
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仕様 1N649-1

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : 1N649-1
メーカー : Microsemi Corporation
説明文 : DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 400mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 400mA
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 50nA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : 1N , 1N6

のドキュメント 1N649-1

データシート : 1N649-1.pdf

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