BSM120D12P2C005 - MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
9169 Pieces
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仕様 BSM120D12P2C005
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : BSM120D12P2C005
メーカー : Rohm Semiconductor
説明文 : MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 120A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs : -
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.7V @ 22mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 14000pF @ 10V
パワー-最大 : 780W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : -
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント BSM120D12P2C005
データシート : BSM120D12P2C005.pdf
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