HGT1S10N120BNS - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
142670 Pieces
参考価格
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仕様 HGT1S10N120BNS
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
HGT1S10N120BNS
メーカー :
ON Semiconductor
説明文 :
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
IGBTタイプ :
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
35A
電流-パルスコレクター（Icm） :
80A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.7V @ 15V, 10A
パワー-最大 :
298W
スイッチングエネルギー :
320µJ (on), 800µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
100nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
23ns/165ns
試験条件 :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント HGT1S10N120BNS
データシート :
HGT1S10N120BNS.pdf
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