HGT1S10N120BNS - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
142670 Pieces
参考価格
USD 1.966416
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仕様 HGT1S10N120BNS

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : HGT1S10N120BNS
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 35A
電流-パルスコレクター(Icm) : 80A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.7V @ 15V, 10A
パワー-最大 : 298W
スイッチングエネルギー : 320µJ (on), 800µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 100nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 23ns/165ns
試験条件 : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : HGT1 , HGT1S10

のドキュメント HGT1S10N120BNS

データシート : HGT1S10N120BNS.pdf

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