SI7964DP-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
32697 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 SI7964DP-T1-E3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI7964DP-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.1A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 23 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 65nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
パワー-最大 : 1.4W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8 Dual
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SI79 , SI7964D

のドキュメント SI7964DP-T1-E3

データシート : SI7964DP-T1-E3.pdf

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