BSM100GB120DN2HOSA1 - IGBT 2 MED POWER 62MM-1
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
5288 Pieces
参考価格
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仕様 BSM100GB120DN2HOSA1
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
BSM100GB120DN2HOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明文 :
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
IGBTタイプ :
-
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
150A
パワー-最大 :
800W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
2mA
入力容量（Cies）@ Vce :
6.5nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント BSM100GB120DN2HOSA1
データシート :
BSM100GB120DN2HOSA1.pdf
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