1N6479HE3/96 - DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
3325320 Pieces
参考価格
USD 0.084372
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仕様 1N6479HE3/96

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : 1N6479HE3/96
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明文 : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
シリーズ : SUPERECTIFIER®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 8pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-213AB
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : 1N64 , 1N6479

のドキュメント 1N6479HE3/96

データシート : 1N6479HE3/96.pdf

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