CY7S1061GE30-10BVM - 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
23112 Pieces
参考価格
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仕様 CY7S1061GE30-10BVM
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
CY7S1061GE30-10BVM
メーカー :
Cypress Semiconductor Corp
説明文 :
16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
メモリタイプ :
Volatile
メモリフォーマット :
SRAM
技術 :
SRAM - Synchronous
メモリー容量 :
16Mb (1M x 16)
クロック周波数 :
-
書き込みサイクル時間-ワード、ページ :
10ns
アクセス時間 :
10ns
メモリインターフェース :
Parallel
電圧-供給 :
2.2V ~ 3.6V
動作温度 :
-55°C ~ 125°C (TA)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
48-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ :
48-VFBGA (6x8)
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント CY7S1061GE30-10BVM
データシート :
CY7S1061GE30-10BVM.pdf
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