TC58BYG0S3HBAI6 - IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

製造業者識別番号

TC58BYG0S3HBAI6

内部部品番号

AX-TC58BYG0S3HBAI6

メーカー

Toshiba Memory America, Inc.

簡単な説明

IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

161965 Pieces

参考価格

~~USD 1.926~~

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仕様 TC58BYG0S3HBAI6

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : TC58BYG0S3HBAI6

メーカー : Toshiba Memory America, Inc.

説明文 : IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

シリーズ : Benand™

部品ステータス : Active

メモリタイプ : Non-Volatile

メモリフォーマット : FLASH

技術 : FLASH - NAND (SLC)

メモリー容量 : 1Gb (128M x 8)

クロック周波数 : -

書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 25ns

アクセス時間 : 25ns

メモリインターフェース : Parallel

電圧-供給 : 1.7V ~ 1.95V

動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 67-VFBGA

サプライヤーデバイスパッケージ : 67-VFBGA (6.5x8)

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント TC58BYG0S3HBAI6

データシート : TC58BYG0S3HBAI6.pdf

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品番	ブランド	説明文
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WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.