EPC2111ENGRT - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-EPC2111ENGRT
メーカー
簡単な説明
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
303635 Pieces
参考価格
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仕様 EPC2111ENGRT
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : EPC2111ENGRT
メーカー : EPC
説明文 : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 16A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
パワー-最大 : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント EPC2111ENGRT
データシート : EPC2111ENGRT.pdf
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