APTGTQ200A65T3G - POWER MODULE - IGBT

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
POWER MODULE - IGBT
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
11984 Pieces
参考価格
USD 37.43358
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仕様 APTGTQ200A65T3G

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : APTGTQ200A65T3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明文 : POWER MODULE - IGBT
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 200A
パワー-最大 : 483W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.2V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 200µA
入力容量(Cies)@ Vce : 12nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3F
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : APTGT , APTGTQ2

のドキュメント APTGTQ200A65T3G

データシート : APTGTQ200A65T3G.pdf

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