APTGTQ100H65T3G - POWER MODULE - IGBT
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
POWER MODULE - IGBT
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
11984 Pieces
参考価格
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仕様 APTGTQ100H65T3G
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
APTGTQ100H65T3G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明文 :
POWER MODULE - IGBT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
Full Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100A
パワー-最大 :
250W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.2V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100µA
入力容量（Cies）@ Vce :
6nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP3F
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント APTGTQ100H65T3G
データシート :
APTGTQ100H65T3G.pdf
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