IPW60R090CFD7XKSA1 - HIGH POWERNEW

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
HIGH POWERNEW
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
57940 Pieces
参考価格
USD 4.842
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仕様 IPW60R090CFD7XKSA1

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IPW60R090CFD7XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : HIGH POWERNEW
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 570µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2103pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : IPW60R , IPW60R090

のドキュメント IPW60R090CFD7XKSA1

データシート : IPW60R090CFD7XKSA1.pdf

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