SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
271970 Pieces
参考価格
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仕様 SI8900EDB-T2-E1
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
SI8900EDB-T2-E1
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1.1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
10-UFBGA, CSPBGA
サプライヤーデバイスパッケージ :
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント SI8900EDB-T2-E1
データシート :
SI8900EDB-T2-E1.pdf
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