SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
271970 Pieces
参考価格
USD 1.03158
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仕様 SI8900EDB-T2-E1

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI8900EDB-T2-E1
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.4A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 1.1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
パワー-最大 : 1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 10-UFBGA, CSPBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SI890 , SI8900E

のドキュメント SI8900EDB-T2-E1

データシート : SI8900EDB-T2-E1.pdf

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