DMJ70H900HJ3 - MOSFET BVDSS 651V 800V TO251

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
323020 Pieces
参考価格
USD 0.86856
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仕様 DMJ70H900HJ3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : DMJ70H900HJ3
メーカー : Diodes Incorporated
説明文 : MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 18.4nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 603pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 68W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-251
パッケージ/ケース : TO-251-3, IPak, Short Leads
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : DMJ7 , DMJ70H

のドキュメント DMJ70H900HJ3

データシート : DMJ70H900HJ3.pdf

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