IPB065N10N3GATMA1 - MOSFET N-CH TO263-3

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH TO263-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
360725 Pieces
参考価格
USD 0.777756
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仕様 IPB065N10N3GATMA1

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IPB065N10N3GATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH TO263-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 90µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4910pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 150W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : IPB06 , IPB065N1

のドキュメント IPB065N10N3GATMA1

データシート : IPB065N10N3GATMA1.pdf

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