SI1926DL-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
2878465 Pieces
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仕様 SI1926DL-T1-GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI1926DL-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 370mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 1.4nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 18.5pF @ 30V
パワー-最大 : 510mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-70-6 (SOT-363)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SI1926DL-T1-GE3
データシート : SI1926DL-T1-GE3.pdf
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