VWM200-01P データシート
仕様 VWM200-01P
品番 : VWM200-01P
メーカー : IXYS
説明文 : MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 210A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 5.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 430nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
パワー-最大 : -
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : V2-PAK
サプライヤーデバイスパッケージ : V2-PAK
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-VWM200-01P
メーカー
簡単な説明
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
26733 個
参考価格
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