TRS6E65C,S1AQ データシート
仕様 TRS6E65C,S1AQ
品番 : TRS6E65C,S1AQ
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 650V
電流-平均整流（Io） : 6A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 6A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 90µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : 35pF @ 650V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2L
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
76025 個
参考価格
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