TPW1R306PL,L1Q データシート
仕様 TPW1R306PL,L1Q
品番 : TPW1R306PL,L1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
シリーズ : U-MOSIX-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 260A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 8100pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 960mW (Ta), 170W (Tc)
動作温度 : 175°C
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DSOP Advance
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
333995 個
参考価格
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| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 10.8NS 256BGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9.2NS 324BGA | ||
| Intel | IC CPLD 256MC 7.5NS 100FBGA |