TPS1101DR データシート
仕様 TPS1101DR
品番 : TPS1101DR
メーカー : Texas Instruments
説明文 : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 15V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 2.7V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 11.25nC @ 10V
Vgs（最大） : +2V, -15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力（最大） : 791mW (Ta)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-TPS1101DR
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
481965 個
参考価格
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