仕様 TPH2R506PL,L1Q

品番 : TPH2R506PL,L1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
シリーズ : U-MOSIX-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.4 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 500µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5435pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 132W (Tc)
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
487590 個
参考価格
USD 0
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