TK7E80W,S1X データシート
仕様 TK7E80W,S1X
品番 : TK7E80W,S1X
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
シリーズ : DTMOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 950 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 280µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 700pF @ 300V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 110W (Tc)
動作温度 : 150°C
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-TK7E80W,S1X
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
162360 個
参考価格
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