TH58BYG2S3HBAI4 データシート
仕様 TH58BYG2S3HBAI4
品番 :
TH58BYG2S3HBAI4
メーカー :
Toshiba Memory America, Inc.
説明文 :
4G SLC NAND BGA 24NM
シリーズ :
Benand™
部品ステータス :
Active
メモリタイプ :
Non-Volatile
メモリフォーマット :
FLASH
技術 :
FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量 :
4Gb (512M x 8)
クロック周波数 :
-
書き込みサイクル時間-ワード、ページ :
-
アクセス時間 :
-
メモリインターフェース :
-
電圧-供給 :
-
動作温度 :
-40°C ~ 85°C
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
63-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ :
63-TFBGA (9x11)
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
4G SLC NAND BGA 24NM
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
67080 個
参考価格
私たちの価格
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| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
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Xilinx Inc. |
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Intel |
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Intel |
IC CPLD 512MC 10NS 208QFP |
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|
Lattice Semiconductor Corporation |
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|
Intel |
IC CPLD 1700MC 7NS 324FBGA |
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|
Intel |
IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9.2NS 256BGA |