SIRA50ADP-T1-RE3 データシート
仕様 SIRA50ADP-T1-RE3
品番 : SIRA50ADP-T1-RE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET® Gen IV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 54.8A (Ta), 219A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.04 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs（最大） : +20V, -16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 7300pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 6.25W (Ta), 100W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
575075 個
参考価格
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