SIHP6N65E-GE3 データシート
仕様 SIHP6N65E-GE3
品番 :
SIHP6N65E-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
820pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
78W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
394095 個
参考価格
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関連製品 SIHP6N65E-GE3 Vishay Siliconix
| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
|---|---|---|---|
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9NS 324BGA |
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|
Intel |
IC CPLD 512MC 10NS 256FBGA |
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|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 256MC 10NS 208QFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 1700MC 7NS 324FBGA |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9NS 256BGA |
||
|
Intel |
IC CPLD 64MC 15NS 100QFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9.2NS 324BGA |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 10.8NS 208QFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 10.8NS 208QFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7NSNS 256BGA |