SIHB22N60ET5-GE3 データシート
仕様 SIHB22N60ET5-GE3
品番 :
SIHB22N60ET5-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
シリーズ :
E
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1920pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
227W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
191475 個
参考価格
私たちの価格
-（お得な料金については、sales @ axsemi.comまでお問い合わせください）
- AX SemiconductorはSIHB22N60ET5-GE3の在庫を売りに出している。 1〜2日で発送可能です。 SIHB22N60ET5-GE3のよりお得な価格については、お問い合わせください。 メール：[email protected]
- 配送オプションと配送時間:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- 支払いオプション:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
関連製品 SIHB22N60ET5-GE3 Vishay Siliconix
| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
|---|---|---|---|
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9NS 324BGA |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 12NS 144TQFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 12NS 208QFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7NSNS 256BGA |
||
|
Intel |
IC CPLD 64MC 4.5NS 100FBGA |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 12NS 256FBGA |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 10.8NS 144QFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 256MC 7.5NS 100TQFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9NS 324BGA |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 7NS 144QFP |