SIDR610DP-T1-GE3 データシート
仕様 SIDR610DP-T1-GE3
品番 : SIDR610DP-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 7.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1380pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 6.25W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
243520 個
参考価格
私たちの価格
-（お得な料金については、sales @ axsemi.comまでお問い合わせください）
- AX SemiconductorはSIDR610DP-T1-GE3の在庫を売りに出している。 1〜2日で発送可能です。 SIDR610DP-T1-GE3のよりお得な価格については、お問い合わせください。 メール：[email protected]
- 配送オプションと配送時間:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- 支払いオプション:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
関連製品 SIDR610DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
|---|---|---|---|
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 7.1NS 208QFP | ||
| Intel | IC CPLD 64MC 4.5NS 100TQFP | ||
| Intel | IC CPLD 128MC 10NS 100FBGA | ||
| Intel | IC CPLD 128MC 10NS 100TQFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9NS 256BGA | ||
| Intel | IC CPLD 128MC 5NS 100FBGA | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 384MC 5NS 176TQFP | ||
| Intel | IC CPLD 1700MC 7NS 324FBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9.2NS 208QFP | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 32MC 10NS 44PLCC |