SI8802DB-T2-E1 データシート
仕様 SI8802DB-T2-E1
品番 : SI8802DB-T2-E1
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 54 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 700mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） : ±5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力（最大） : 500mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-Microfoot
パッケージ/ケース : 4-XFBGA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
2927660 個
参考価格
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| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9NS 256BGA | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 512MC 5NS 256FTBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 9NS 256BGA |