SI7860DP-T1-E3 データシート
仕様 SI7860DP-T1-E3
品番 : SI7860DP-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 8 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1.8W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
16608 個
参考価格
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