SI7190DP-T1-GE3 データシート
仕様 SI7190DP-T1-GE3
品番 :
SI7190DP-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
118 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2214pF @ 125V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5.4W (Ta), 96W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
446990 個
参考価格
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