SI7107DN-T1-E3 データシート
仕様 SI7107DN-T1-E3
品番 : SI7107DN-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 9.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1V @ 450µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 44nC @ 4.5V
Vgs（最大） : ±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
4552 個
参考価格
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| Intel | IC CPLD 512MC 7.5NS 256FBGA | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 96MC 5.5NS 100TQFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 10.8NS 208QFP |