SI4966DY-T1-GE3 データシート
仕様 SI4966DY-T1-GE3
品番 : SI4966DY-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 50nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
パワー-最大 : 2W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
27811 個
参考価格
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| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 10.8NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9.2NS 324FBGA | ||
| Intel | IC CPLD 256MC 5.5NS 100TQFP |