SI4966DY-T1-E3 データシート
仕様 SI4966DY-T1-E3
品番 :
SI4966DY-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
50nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
28245 個
参考価格
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