RQJ0303PGDQA#H6 データシート
仕様 RQJ0303PGDQA#H6
品番 :
RQJ0303PGDQA#H6
メーカー :
Renesas Electronics America
説明文 :
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
68 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs（最大） :
+10V, -20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
625pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
800mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-MPAK
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
19864 個
参考価格
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