PHB38N02LT,118 データシート
仕様 PHB38N02LT,118
品番 : PHB38N02LT,118
メーカー : NXP USA Inc.
説明文 : MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 44.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 2.5V, 5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 25A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 15.1nC @ 5V
Vgs（最大） : 12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 800pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 57.6W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
68995 個
参考価格
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