NSVBAS19LT1G データシート
仕様 NSVBAS19LT1G
品番 : NSVBAS19LT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 120V
電流-平均整流（Io） : 200mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.25V @ 200mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-NSVBAS19LT1G
メーカー
簡単な説明
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
13945930 個
参考価格
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