JAN1N5417 データシート
仕様 JAN1N5417
品番 :
JAN1N5417
メーカー :
Microsemi Corporation
説明文 :
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/411
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.5V @ 9A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
150ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-JAN1N5417
簡単な説明
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
39624 個
参考価格
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関連製品 JAN1N5417 Microsemi Corporation
| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
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Lattice Semiconductor Corporation |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 10.8NS 256BGA |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9.2NS 208QFP |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 7NS 208QFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9NS 256BGA |