IXTP110N12T2 データシート
仕様 IXTP110N12T2
品番 : IXTP110N12T2
メーカー : IXYS
説明文 : 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
シリーズ : TrenchT2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 120V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 110A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 6570pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 517W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-IXTP110N12T2
メーカー
簡単な説明
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
111325 個
参考価格
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| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9.2NS 208QFP | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 256MC 6.5NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 10.8NS 256BGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 10.8NS 208QFP |