仕様 IXTN600N04T2

品番 : IXTN600N04T2
メーカー : IXYS
説明文 : MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
シリーズ : GigaMOS™, TrenchT2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 600A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.05 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 590nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 40000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 940W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
26117 個
参考価格
USD 0
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