IXTA3N100D2HV データシート
仕様 IXTA3N100D2HV
品番 : IXTA3N100D2HV
メーカー : IXYS
説明文 : MOSFET N-CH
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3A (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 0V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 37.5nC @ 5V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1020pF @ 25V
FET機能 : Depletion Mode
消費電力（最大） : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263HV
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
156245 個
参考価格
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| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 384MC 5NS 256FTBGA | ||
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