IXFM67N10 データシート
仕様 IXFM67N10
品番 : IXFM67N10
メーカー : IXYS
説明文 : POWER MOSFET TO-3
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Last Time Buy
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 67A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-204AE
パッケージ/ケース : TO-204AE
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
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