IXFA10N80P データシート
仕様 IXFA10N80P
品番 : IXFA10N80P
メーカー : IXYS
説明文 : MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
シリーズ : HiPerFET™, PolarHT™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5.5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2050pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263 (IXFA)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-IXFA10N80P
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
183900 個
参考価格
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| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 10.8NS 144QFP | ||
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