仕様 IRFHM792TRPBF

品番 : IRFHM792TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 10µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 251pF @ 25V
パワー-最大 : 2.3W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
504785 個
参考価格
USD 0
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