IRF610S データシート
仕様 IRF610S
品番 :
IRF610S
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.2nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
140pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3W (Ta), 36W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-IRF610S
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
62870 個
参考価格
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| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
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Xilinx Inc. |
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IC CPLD 512MC 7NSNS 208QFP |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 10.8NS 208QFP |