IRF1018ESPBF データシート
仕様 IRF1018ESPBF
品番 :
IRF1018ESPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明文 :
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
79A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2290pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-IRF1018ESPBF
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
6040 個
参考価格
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| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
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Xilinx Inc. |
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IC CPLD 256MC 7.5NS 100TQFP |
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Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 256MC 6.5NS 208QFP |
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|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 256MC 7.5NS 208QFP |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7.1NS 208QFP |
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|
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IC CPLD 64MC 4.5NS 100TQFP |
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|
Xilinx Inc. |
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