IPG20N10S4L22AATMA1 データシート
仕様 IPG20N10S4L22AATMA1
品番 : IPG20N10S4L22AATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 20A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.1V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 27nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1755pF @ 25V
パワー-最大 : 60W
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8-10
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
580600 個
参考価格
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| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 7NS 256BGA | ||
| Intel | IC CPLD 512MC 10NS 256FBGA | ||
| Intel | IC CPLD 256MC 7.5NS 100FBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 7NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 10.8NS 208QFP |